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石墨板 探秘半導體材料成長的搖籃:關(guān)鍵因素與發(fā)展趨勢

時間:2024-10-26 16:05:16 點擊:244次

在科技迅猛發(fā)展的今天,半導體產(chǎn)業(yè)無疑是顆璀璨的明珠。特別是,高純石墨制品在第三代半導體領(lǐng)域的應(yīng)用,更成為了眾人關(guān)注的焦點。這一領(lǐng)域不僅見證了技術(shù)的重大突破,同時也面臨著諸多亟待解決的挑戰(zhàn)。

高純石墨在單晶生長設(shè)備的應(yīng)用

高純石墨制品在第三代半導體單晶生長設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。以碳化硅單晶生長爐為例,石墨坩堝和石墨加熱器都離不開高純石墨。同樣,在GaN外延生長過程中,石墨基座同樣不可或缺,無論是用于抗高溫燒蝕的石墨基座,還是GaN薄膜外延生長的承載基座。這些應(yīng)用場景對部件提出了耐高溫、熱傳導均勻、化學穩(wěn)定性佳、抗熱震能力強等要求,而高純石墨材料恰好符合這些要求。在生產(chǎn)現(xiàn)場,工程師們細致地組裝這些石墨部件,以保證晶體生長設(shè)備的穩(wěn)定運行。

小尺寸的石墨產(chǎn)品或許能較好地滿足純度等方面的需求,然而,隨著需求的不斷增長,SiC單晶所需的石墨產(chǎn)品正逐漸向大尺寸過渡。這種轉(zhuǎn)變往往會導致石墨產(chǎn)品表面與內(nèi)部的純度分布不均,從而無法滿足實際應(yīng)用的標準,這無疑給研發(fā)人員帶來了一個棘手的難題。

石墨涂層材料的選擇

GaN薄膜外延生長承載基座中的反應(yīng)腔內(nèi)關(guān)鍵部件,對它的要求是多方面的。石墨作為優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)材料,其上選擇合適的涂層尤為重要。以SiC為例,它不僅半導體性能出色,還擁有耐腐蝕和化學穩(wěn)定性高等優(yōu)點。更重要的是,SiC的熱膨脹系數(shù)與石墨相近,這使得它成為石墨基座表面涂層的優(yōu)選材料之一。

實驗室里,研發(fā)團隊進行了眾多對比試驗。他們測試了不同材料組合,在多種溫度、濕度等環(huán)境下的反應(yīng)情況。經(jīng)過長期的數(shù)據(jù)搜集與分析,SiC材料在眾多選項中表現(xiàn)優(yōu)異。這一選擇,為后續(xù)的設(shè)備制造和半導體生產(chǎn)打下了穩(wěn)固的材料基礎(chǔ)。

離子注入裝置中的石墨材料

離子注入在半導體制造中扮演著至關(guān)重要的角色,它通過將硼、磷、砷等粒子加速至特定能量,然后注入晶圓材料的表面。這一過程對離子注入設(shè)備組件的材料提出了極高的要求,這些材料必須具備出色的耐熱性、良好的導熱性、較低的離子束腐蝕風險以及低雜質(zhì)含量。

在離子注入裝置的生產(chǎn)車間,執(zhí)行著嚴格的質(zhì)量檢測標準。工作人員對每一個可能使用的材料樣本進行細致的測試。石墨,在離子轟擊或等離子等極端工作條件下,展現(xiàn)出其不易被腐蝕的特性。這一特性使得石墨能夠被用于等離子蝕刻設(shè)備的部件,例如石墨電極。在等離子蝕刻設(shè)備的運行中,石墨電極因其獨特的價值而顯得尤為重要。

柔性石墨箔的半導體應(yīng)用

柔性石墨箔是用天然膨脹石墨制作的,雖然看起來并不顯眼,但在半導體領(lǐng)域的應(yīng)用中卻發(fā)揮著不可小覷的作用。它能提升系統(tǒng)和工藝的性能,而在實際的生產(chǎn)測試中,我們發(fā)現(xiàn)它還能有效減少能耗,并確保生產(chǎn)過程的穩(wěn)定可靠。在半導體生產(chǎn)線運行的過程中,柔性石墨箔宛如一位默默無聞的小助手,雖然不引人注目,卻是必不可少的。

半導體工廠中,各式設(shè)備對材料性能的要求各異。柔性石墨箔因其卓越的靈活性,在滿足各種設(shè)備和工藝需求方面表現(xiàn)突出。這種靈活性讓它在半導體生產(chǎn)過程中的復雜環(huán)節(jié)中占據(jù)一席之地,成為企業(yè)實現(xiàn)節(jié)能降耗、提高效益的關(guān)鍵助力。

大尺寸石墨制品的純化工藝

SiC單晶生產(chǎn)中,所需的石墨制品多為大尺寸,而之前提到的表面和內(nèi)部純度不均勻的問題亟待解決。針對這一難題,我們應(yīng)采用獨特的高溫熱化學脈沖提純工藝。這一工藝能夠?qū)崿F(xiàn)對大尺寸或異型石墨制品的深度、均勻提純,確保產(chǎn)品表面及芯部的純度均能滿足使用要求。

研發(fā)團隊面臨著重重挑戰(zhàn),他們投入了大量的時間和精力去實驗和改進這項工藝。從最初的摸索到逐步調(diào)整參數(shù),這一過程需要記錄的數(shù)據(jù)量相當龐大。然而,他們的努力沒有白費,這一工藝的成功研發(fā)為石墨制品在大尺寸半導體領(lǐng)域的應(yīng)用開辟了新的道路。

滿足超低灰分要求的技術(shù)

為了滿足半導體產(chǎn)業(yè)對石墨制品超低灰分的需求,相關(guān)技術(shù)應(yīng)運而生。借助高溫真空純化設(shè)備及其他技術(shù)手段,產(chǎn)品灰分得以降至5×10^-6以下。這不僅滿足了產(chǎn)業(yè)對產(chǎn)品純度的高標準要求,同時也確保了半導體產(chǎn)品整體質(zhì)量的穩(wěn)定。

石墨制品生產(chǎn)廠內(nèi),先進設(shè)備正忙碌運轉(zhuǎn)。技術(shù)人員全程監(jiān)控,細致檢查生產(chǎn)過程中的各項參數(shù),保證每一件石墨制品都符合超低灰分標準。這對半導體生產(chǎn)鏈條的穩(wěn)定與進步,意義尤為重大。

最后有個問題想和大家探討,關(guān)于高純石墨制品在推動第三代半導體發(fā)展的大道上,你認為還有哪些技術(shù)可以進一步優(yōu)化?期待大家的熱情討論,也歡迎點贊和轉(zhuǎn)發(fā)這篇文章。